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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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LGS-Reihen-Galvano - aktives NLO Material des Optik-Pockel-Zellenq Schalter-

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

—— Jarmila

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LGS-Reihen-Galvano - aktives NLO Material des Optik-Pockel-Zellenq Schalter-

LGS Series Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Active NLO Material
LGS Series Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Active NLO Material LGS Series Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Active NLO Material LGS Series Electro - Optic Pockel Cell Q Switch Active NLO Material

Großes Bild :  LGS-Reihen-Galvano - aktives NLO Material des Optik-Pockel-Zellenq Schalter-

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS/COC/ROHS
Modellnummer: CR201209-03
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1PC
Preis: USD 500-1500/pc
Lieferzeit: 4-5 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, Moneygram, Paypal
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: LGS Wellenlänge: 242-3200nm
Übertragene Wellenfront-Verzerrung: Schadensschwelle: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns)
Markieren:

pockels Zellmodulator

,

Schalter pockel Zellen q

,

Aktives NLO Material q-Schalter-

LGS-Reihenc$galvano-optik (Elementaroperation) Q-Schalter Pockels-Zelle

Eine neue Art Elementaroperations-Q-Schalter ist mittels einen Kristall des La3GA5SiQ14 (LGS) entworfen. LGS-Kristall ist eine Art optisch aktives NLO-Material mit sehr hoher Schadenschwelle (ungefähr 9mal als die von LN), ausgezeichneter Elementaroperations-Koeffizient, die Temperaturbeständigkeit (besser als Quarz), der Q-Schalter basiert auf der Erwägung, dass der Gesamtrotationswinkel der Polarisationsfläche, während die polarisierte Welle durch die Pockels-Zelle hin und her fortpflanzt, wenn der flachen Drehung der Polarisation und der Galvano-Optikeffekt gleichzeitig existieren null ist deshalb er in Elementaroperations-Komponenten wie Elementaroperations-Modulator, Q-Schalter, etc. weitverbreitet ist.

Der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ist ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP und von LiNbO teilweise zu nehmendie Q-Schalter mit3 Reihen.

 

Grundlegende Eigenschaften:

Chemische Formel La3Ga5SiQ14
Crystal Structure Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å
Dichte 5,75 g/cm3
Schmelzpunkt °C 1470
Transparenz-Strecke 242 - 3200 Nanometer
Brechungskoeffizient 1,89
Galvano-Optikkoeffizienten γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V
Widerstandskraft 1.7×1010 Ω·cm
Zerfließen Nein
Thermische Expansions-Koeffizienten α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse)

 

Eigenschaften:

  • Er-ansässig Q-Schalter LGS (Pockels-Zelle);
  • Für Wellenlängen bis 3.2μm;
  • Übertragene Welle Front Distortion: < l="">
  • Schadenschwelle: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, typisches, garantiert nicht);
  • LGS verfügbar für mittlere Stromnetze, teilweise stattfinden von DKDP und von LiNbOQ-Schalter mit3 Reihen.

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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