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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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1064nm 800nm 680nm AR aktive Kristalle TSAG optisch beschichtend

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

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1064nm 800nm 680nm AR aktive Kristalle TSAG optisch beschichtend

1064nm 800nm 680nm AR Coating TSAG Optically Active Crystals
1064nm 800nm 680nm AR Coating TSAG Optically Active Crystals
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Großes Bild :  1064nm 800nm 680nm AR aktive Kristalle TSAG optisch beschichtend

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS/ROHS
Modellnummer: JCR200608-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1PC
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Art: TSAG Rod Durchmesser: 3 Zoll
Durchmessertoleranz: +0/-0.05mm Längen-Toleranz: +/-0,2 mm
Aussterbeverhältnis: bis zu 35dB Oberflächenqualität: 10-5
AR-Beschichtung: 405-980nm/1064nm Welle Front Distortion: <1>
Markieren:

Gadoliniumgalliumgranat

,

ggg Substrat

,

TSAG aktive Kristalle optisch

TSAG-Kristalle für Beschichtung Faraday-Isolator-1064nm 800nm 680nm AR

 

Beschreibung:

 

TSAG ist perfekter Magnetoptikkristall, der in den sichtbaren und Infrarotwellenlängenbereichen benutzt werden kann. Gute thermische und mechanische Eigenschaften machen TSAG sehr zuverlässiges materielles passendes für Faserlaser der nächsten Generation. Verglichen mit TGG, hat TSAG ungefähr 20% höheres konstantes Verdet und ungefähr 30% niedrigere Absorption bei 1064 Nanometer.

 

 

Eigenschaften:

  • Große Verdet-Konstante (48 radT-1m-1 bei 1064 Nanometer), ungefähr 20% höher als das von TGG;

  • Niedrige Absorption (<3000 ppm/cm bei 1064 Nanometer), ungefähr 30% weniger als das von TGG

  • Hohe Leistung konform;

  • Niedrige thermisch-bedingte Doppelbrechung;

  • Den Isolator klein herstellen.

 

Anwendungen:

  • Faraday-Isolator basiert auf TSAG-Kristall für Laser der hohen Leistung

  • Darstellungsanwendungen: Szintillationseigenschaften von TSAG-Kristall für Darstellungsanwendungen

 

Haupteigenschaften:

         

Beförderungs-Strecke (Masse/unbeschichtetes) 400-1600nm
Kristallstruktur Kubik, Raumgruppe Ia3d
Chemische Formel Tb3Sc2Al3O12
Gitter-Parameter a=12.3Å
Wachstums-Methode Czochralski
Dichte 5.91g/cm3
Schmelzpunkt 1970℃±10℃

 

 

Kristall CRYSTRO-Versorgung TGG mit:

 

 

Orientierung ±15 ′
Wellenfront-Verzerrung <λ/8
Löschungs-Verhältnis >30dB
Durchmesser-Toleranz +/-0.05mm
Längen-Toleranz +/-0.1mm
Abschrägung 0.1mm @ 45°
Flachheit <λ/10 an 633nm
Parallelismus <3 ′
Perpendicularity <5 ′
Oberflächenbeschaffenheit 10/5
AR-Beschichtung <0.3% @ 1064nm

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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