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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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Hohe Temperatur supraleitendes LaAlO3 einzelner Crystal Substrate

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

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Hohe Temperatur supraleitendes LaAlO3 einzelner Crystal Substrate

High Temperature Superconducting LaAlO3 Single Crystal Substrate
High Temperature Superconducting LaAlO3 Single Crystal Substrate
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Großes Bild :  Hohe Temperatur supraleitendes LaAlO3 einzelner Crystal Substrate

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CR210123-1
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pc
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Kartonpaket
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs/month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Laalo3/Lao Art: Oblate
Durchmesser: 2" Zoll, 3" Zoll, 4" Zoll RA: <5a>
Polnisch: doppelte Seite poliert Oberflächenende: < 10A="">
Satz: 1000 waagerecht ausgerichtete saubere Tasche/Klarsichtschachtel
Markieren:

Supraleitender einzelner Crystal Substrate

,

LaAlO3 einzelner Crystal Substrate

,

Supraleitende Oblate laalo3

Hohe Temperatur supraleitender einzelner Crystal Substrate Laalo 3

 

LaAlO3 ist ein supraleitendes einzelnes Kristallsubstrat der hohen Temperatur. Es ist ein gutes Substratmaterial für Epitaxie von supraleitenden Dünnfilmen der hohen Temperatur und von riesigen magnetischen Dünnfilmen. Seine dielektrischen Eigenschaften sind für dämpfungsärme Mikrowelle und dielektrische Resonanzanwendungen passend.

Crystro hat ein Berufsteam mit mehr, als 15 Produktionsjahre Erfahrung, wir schwer in Kristall-R&D jedes Jahr investieren, zum von Produktleistung zu verbessern und von neuen Kristallen zu entwickeln.

Einzelner Kristall LaAlO3 versieht ein gutes Gittermatch zu vielen Materialien mit Perowskitstruktur. Es ist ein ausgezeichnetes Substrat für Epitaxie von hohen Tc-Supraleiter-, magnetischen und Eisen-elektrischenDünnfilmen. Die dielektrischen Eigenschaften des Kristalles LaAlO3 sind gut für dämpfungsärme Mikrowelle und dielektrische Resonanzanwendungen passend.

 

 

Haupteigenschaften:

 

  Typische physikalische Eigenschaften
Crystal Structure Kubik-Ångström a=3.79
Wachstums-Methode Czochralski
Dichte 6,52 g/cm3
Schmelzpunkt OC 2080
Thermische Expansion 10 (x10-6/OC)
Dielektrizitätskonstante | 25
Verlust-Tangente bei 10 Gigahertz ~3x10-4 @ 300K, ~0,6 x10-4 @77K
Farbe und Auftritt Transparent zu Brown basierte auf Vergütungsbedingung. Sichtbare Zwillinge auf Poliersubstrat
Chemische Stabilität

Unlöslich in den Mineralsäuren bei 25 OC und Lösliches H3PO3 im at> 150 OC

 

Anwendungen:

 

Supraleitende Dünnfilme der hohen Temperatur

Riesige magnetische Dünnfilme

Elektronische Geräte,

Hochtemperatur-Brennstoffzelle

 

Hauptvorteile:

 

Kleine Dielektrizitätskonstante; niedriger dielektrischer Verlust; gute Gitteranpassung; kleiner Koeffizient der thermischen Expansion; gute chemische Stabilität; breite Energielücke; große spezifische Fläche; bestimmte Tätigkeit; gute Wärmebeständigkeit

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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