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| Markieren: | Magnetoptikmodulator,Schalter pockel Zellen q,Schalter Piezocrystal LGS Q |
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LGS-Reihe Galvano-Optik-(EO)-Q-Schalter Pockels-Zelle
Eine neue Art Elementaroperations-Q-Schalter ist mittels einen Kristall La3Ga5SiQ14 (LGS) entworfen. LGS-Kristall ist eine Art optisch aktives NLO-Material mit sehr hoher Schadenschwelle (ungefähr 9mal so die von LN), ausgezeichneter Elementaroperations-Koeffizient, die Temperaturbeständigkeit (besser als Quarz), der Q-Schalter basiert auf der Erwägung, dass der Gesamtrotationswinkel der Polarisationsfläche null, während die polarisierte Welle durch die Pockels-Zelle hin und her fortpflanzt, wenn der Polarisationsflächendrehung und der Galvano-Optikeffekt gleichzeitig existieren ist deshalb er in Elementaroperations-Komponenten wie Elementaroperations-Modulator, Q-Schalter, etc. weit verbreitet ist.
Der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ist ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP und von LiNbO teilweise zu nehmen3 Reihenc$q-schalter.
Eigenschaften:
Er-ansässig Q-Schalter LGS (Pockels-Zelle);
Für Wellenlängen bis zu 3.2μm;
Übertragene Wellen-Front-Verzerrung: < l="">
Schadenschwelle: >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns, typisches, garantiert nicht);
LGS, die für mittlere Stromnetze verfügbar sind, finden teilweise von DKDP und von LiNbO statt3 Reihenc$q-schalter.
Haupteigenschaften:
| Chemische Formel | La3Ga5SiQ14 | |
| Kristallstruktur | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
| Dichte | 5,75 g/cm3 | |
| Schmelzpunkt | °C 1470 | |
| Transparenz-Strecke | 242 - 3200 Nanometer | |
| Brechungskoeffizient | 1,89 | |
| Galvano-Optikkoeffizienten | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
| Widerstandskraft | 1.7×1010 Ω·cm | |
| Zerfließen | Nein | |
| Thermische Expansions-Koeffizienten | α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse) |
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Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
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