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Epi Polish Ggg Gd3ga5o12 Einzelkristall Substrate mit geringem optischen Verlust

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August 04, 2020
Category Connection: Einzelkristall Substrate
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Schlagworte:
#Substrat laalo3 #einzelne Kristallelemente #Lanthanaluminat
Brief: Entdecken Sie den No Doped COC Czochralski 0,5 mm Si Einkristall-Siliziumwafer mit polierter Oberfläche und ultrareinen Siliziumkristallen. Ideal für Halbleiter, Legierungen und Polymere, bietet dieser Wafer geringe optische Verluste und hohe Reinheit. Erfahren Sie mehr über seine Spezifikationen und Anwendungen in diesem Video.
Related Product Features:
  • Material: Hochreines Silizium mit blaugrauem Metallglanz.
  • Doping-Typ: Nicht-dotiert für optimale Halbleiterleistung.
  • Widerstandsbereich: 10²~10⁴ Ω.cm für vielseitige Anwendungen.
  • Kristallographische Richtungen: <111>, <100>, <110> ±0.5° für Präzision.
  • Verfügbare Größen: Durchmesser 2" bis 8" mit 0,5 mm Dicke.
  • Oberflächenoptionen: Ein- oder zweiseitig poliert für Flexibilität.
  • Wachstumsmethode: Czochralski für hochwertige Einkristalle.
  • Reinheitsgrad: 99,999 % für überlegene Leistung in Halbleitern.
Fragen und Antworten:
  • Welcher Widerstandsbereich hat der nicht dotierten COC-Czochralski-Siliziumwafer?
    Der Widerstandsbereich liegt bei 102~104 Ω.cm, was ihn für verschiedene Halbleiteranwendungen geeignet macht.
  • Welche Größen sind für diesen Siliziumwafer verfügbar?
    Der Wafer ist in Durchmessern von 2", 3", 4", 5", 6" und 8" mit einer Standarddicke von 0,5 mm erhältlich.
  • Wurde die Oberfläche des Wafers poliert?
    Ja, der Wafer kann je nach Ihren Anforderungen entweder mit einer oder mit beiden Seiten poliert geliefert werden.
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