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Rundes LaAlO3-Wafer Optisches Substrat Hochdruck-Experimentelle Phase Doppelseitig poliert

Name: Rundes LaAlO3-Wafer Optisches Substrat Hochdruck-Experimentelle Phase Doppelseitig poliert
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Preis:	Verhandlungsfähig
Lieferzeit:	3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

SGS

Orientierung:

< 100>

Typ:

Runde, Quadrat

Durchmesser:

2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll.

Stärke:

0.5mm, 1mm

Polstern:

doppelte Seite poliert

Oberflächenbearbeitung:

< 10A="">

Material:

LaAlO3

Form:

WAFER

Verpackung Informationen:

Packung aus Karton

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Stück/Monat

Hervorheben:

einzelne Kristallelemente

Substrat laalo3

LaAlO3-Wafer-optisches Substrat

Beschreibung des Produkts

Runde <100> LaAlO3 Wafer Optical Substrate Hochdruckversuchsphase

LaAlO₃ist ein hochtemperatursuperleitendes Einzelkristallsubstrat. Es ist ein gutes Substratmaterial für das epitaxiale Wachstum hochtemperatursuperleitender dünner Folien und riesiger magnetischer dünner Folien.Seine dielektrischen Eigenschaften eignen sich für Mikrowellenanwendungen mit geringem Verlust und dielektrische Resonanz.

LaAlO₃Einzelkristall bietet eine gute Gittermatch mit vielen Materialien mit Perovskit-Struktur.Magnetische und ferroelektrische DünnfolienDie dielektrischen Eigenschaften des LaAlO3-Kristalls eignen sich gut für Mikrowellen- und dielektrische Resonanzanwendungen mit geringem Verlust.

Anwendungen:

Elektronische Geräte, Katalyse, Hochtemperaturbrennstoffzelle, Keramik, Abwasserbehandlung, Substratmaterialien

Hauptvorteile:

Kleine dielektrische Konstante; geringer dielektrischer Verlust;gute Gitteranpassung;geringer thermischer Expansionskoeffizient;gute chemische Stabilität;große Energielücke;große spezifische Oberfläche;bestimmte Aktivität;gute thermische Stabilität

Hauptmerkmale:

	Typische physikalische Eigenschaften
Kristallstruktur	Kubik a = 3,79 Angstroms
Wachstumsmethode	Czochralski
Dichte	6.52 g/cm³
Schmelzpunkt	2080^oC
Thermische Ausdehnung	10 (x10)^-6/^oC)
Dielektrische Konstante	~ 25
Verlusttangent bei 10 GHz	~ 3x10^{- 4}@ 300K, ~ 0,6 x 10^{- 4}@77K
Farbe und Aussehen	Transparent bis braun aufgrund der Glühenbedingung.
Chemische Stabilität	Unlöslich in Mineralsäuren bei 25^oC und löslich in H3PO3 bei > 150^oC

Schlagworte:

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Einzelkristall Substrate

Rundes LaAlO3-Wafer Optisches Substrat Hochdruck-Experimentelle Phase Doppelseitig poliert

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Rundes LaAlO3-Wafer Optisches Substrat Hochdruck-Experimentelle Phase Doppelseitig poliert

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Preis:	Verhandlungsfähig
Verpackungsdetails:	Packung aus Karton
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

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Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Markenname:

Crystro

Zertifizierung:

SGS

Modellnummer:

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.

Orientierung:

< 100>

Typ:

Runde, Quadrat

Durchmesser:

2 Zoll, 3 Zoll, 4 Zoll.

Stärke:

0.5mm, 1mm

Polstern:

doppelte Seite poliert

Oberflächenbearbeitung:

< 10A="">

Material:

LaAlO3

Form:

WAFER

Min Bestellmenge:

1pc

Preis:

Verhandlungsfähig

Verpackung Informationen:

Packung aus Karton

Lieferzeit:

3-4 Wochen

Zahlungsbedingungen:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

1000 Stück/Monat

Hervorheben:

einzelne Kristallelemente

Substrat laalo3

LaAlO3-Wafer-optisches Substrat

Beschreibung des Produkts

Runde <100> LaAlO3 Wafer Optical Substrate Hochdruckversuchsphase

Anwendungen:

Elektronische Geräte, Katalyse, Hochtemperaturbrennstoffzelle, Keramik, Abwasserbehandlung, Substratmaterialien

Hauptvorteile:

Hauptmerkmale:

	Typische physikalische Eigenschaften
Kristallstruktur	Kubik a = 3,79 Angstroms
Wachstumsmethode	Czochralski
Dichte	6.52 g/cm³
Schmelzpunkt	2080^oC
Thermische Ausdehnung	10 (x10)^-6/^oC)
Dielektrische Konstante	~ 25
Verlusttangent bei 10 GHz	~ 3x10^{- 4}@ 300K, ~ 0,6 x 10^{- 4}@77K
Farbe und Aussehen	Transparent bis braun aufgrund der Glühenbedingung.
Chemische Stabilität	Unlöslich in Mineralsäuren bei 25^oC und löslich in H3PO3 bei > 150^oC

Schlagworte:

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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Rundes LaAlO3-Wafer Optisches Substrat Hochdruck-Experimentelle Phase Doppelseitig poliert

einzelne Kristallelemente

Substrat laalo3

LaAlO3-Wafer-optisches Substrat

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Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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Substrat laalo3

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