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Zu Hause Produits

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

Name: 7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Lieferzeit:	3-4weeks
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

SGS/ROHS

Material:

GSGG

Polnisch:

EPI poliert

Oberflächenrauheit:

< 10A nach AFM 5x5 Mikromfläche

Kristallwachstumsmethode:

Czochralski

Orientierung:

(100), (111) +/- 0,5°

Durchmesser-Toleranz:

± 0,05 mm

Längen-Toleranz:

±0,2 mm

Größe:

Individualisiert

Verpackung Informationen:

Transparenter sauberer Kasten

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

5000 Stück pro Monat

Hervorheben:

GSGG Einzelkristall

Gadolinium ersetzte Galliumgranate

10x10x0

Beschreibung des Produkts

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

Der SGGG-Granat wird mit der Czochralski-Methode angebaut.

GGG/SGGG/NGG-Garnets werden für die Flüssigkeitsepitaxie verwendet.SGGG-Substraten sind spezielle Substrate für magnetoptische Folie.In optischen Kommunikationsgeräten erfordern sie viel Einsatz von 1,3u und 1.5u optischer IsolatorDie Kernkomponente ist ein YIG- oder BIG-Film, der in ein Magnetfeld gelegt wird.

Das SGGG-Substrat eignet sich hervorragend für den Anbau von bismuthsubstituierten epitaxialen Eisengarnet-Filmen und ist ein gutes Material für YIG, BiYIG, GdBIG.

Es hat gute physikalische und mechanische Eigenschaften und chemische Stabilität.

Anwendung:

YIG,BIG-Epitaksiefilm;

Mikrowellengeräte;

GGG ersetzen

Eigenschaften:

Zusammensetzung	(Gd2.6Ca0.4)(Ge 4,1 Mg 0,25 Zr0.65)O12
Kristallstruktur	Kubik: a = 12.480 Å,
Molekulare wDielelektrische Konstante	968,096
Schmelzpunkt	~ 1730oC
Dichte	~ 7,09 g/cm3
Härte	~ 7,5 (Mohns)
Brechungsindex	1.95
Dielektrische Konstante	30
Dielektrische Verlusttangente (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Kristallwachstumsmethode	Czochralski
Kristallwachstumsrichtung	< 111>

CRYSTRO liefert GGG-Kristall mit:

Orientierung	<111> <100> innerhalb von ±15 Bogenmin
Verzerrung der Wellenfront	< 1/4 Welle@632
Durchmesser Toleranz	± 0,05 mm
Längentoleranz	±0,2 mm
Schaum	0.10mm@45o
Flachheit	< 1/10 Welle bei 633 nm
Parallelismus	< 30 Bogensekunden
Vertikalisierung	< 15 Bogenmin
Oberflächenqualität	10/5 Abkratzen/Gruben
Offene Öffnung	> 90%
Große Kristallgrößen	20,8 bis 76 mm Durchmesser

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall 0

Schlagworte:

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Einzelkristall Substrate

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

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7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Verpackungsdetails:	Transparenter sauberer Kasten
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

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Herkunftsort:

China

Markenname:

Crystro

Zertifizierung:

SGS/ROHS

Modellnummer:

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.

Material:

GSGG

Polnisch:

EPI poliert

Oberflächenrauheit:

< 10A nach AFM 5x5 Mikromfläche

Kristallwachstumsmethode:

Czochralski

Orientierung:

(100), (111) +/- 0,5°

Durchmesser-Toleranz:

± 0,05 mm

Längen-Toleranz:

±0,2 mm

Größe:

Individualisiert

Min Bestellmenge:

1pc

Verpackung Informationen:

Transparenter sauberer Kasten

Lieferzeit:

3-4weeks

Zahlungsbedingungen:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

5000 Stück pro Monat

Hervorheben:

GSGG Einzelkristall

Gadolinium ersetzte Galliumgranate

10x10x0

Beschreibung des Produkts

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

Der SGGG-Granat wird mit der Czochralski-Methode angebaut.

Das SGGG-Substrat eignet sich hervorragend für den Anbau von bismuthsubstituierten epitaxialen Eisengarnet-Filmen und ist ein gutes Material für YIG, BiYIG, GdBIG.

Es hat gute physikalische und mechanische Eigenschaften und chemische Stabilität.

Anwendung:

YIG,BIG-Epitaksiefilm;

Mikrowellengeräte;

GGG ersetzen

Eigenschaften:

Zusammensetzung	(Gd2.6Ca0.4)(Ge 4,1 Mg 0,25 Zr0.65)O12
Kristallstruktur	Kubik: a = 12.480 Å,
Molekulare wDielelektrische Konstante	968,096
Schmelzpunkt	~ 1730oC
Dichte	~ 7,09 g/cm3
Härte	~ 7,5 (Mohns)
Brechungsindex	1.95
Dielektrische Konstante	30
Dielektrische Verlusttangente (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Kristallwachstumsmethode	Czochralski
Kristallwachstumsrichtung	< 111>

CRYSTRO liefert GGG-Kristall mit:

Orientierung	<111> <100> innerhalb von ±15 Bogenmin
Verzerrung der Wellenfront	< 1/4 Welle@632
Durchmesser Toleranz	± 0,05 mm
Längentoleranz	±0,2 mm
Schaum	0.10mm@45o
Flachheit	< 1/10 Welle bei 633 nm
Parallelismus	< 30 Bogensekunden
Vertikalisierung	< 15 Bogenmin
Oberflächenqualität	10/5 Abkratzen/Gruben
Offene Öffnung	> 90%
Große Kristallgrößen	20,8 bis 76 mm Durchmesser

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall 0

Schlagworte:

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

GSGG Einzelkristall

Gadolinium ersetzte Galliumgranate

10x10x0

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Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

7.09 G/Cm3 EPI Poliert 10x10x0,5 mm GSGG Einzelkristall

GSGG Einzelkristall

Gadolinium ersetzte Galliumgranate

10x10x0