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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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1064nm 800nm 680nm AR-Beschichtung TSAG optisch aktive Kristalle

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Schnelle Lieferung und Qualität sehen gut aus, werden bald getestet. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, ein sehr professionelles Team..

—— Klagen

Crystro ist ein langjähriger Lieferant von uns, wir freuen uns, mit einem Lieferanten mit guter Kapazität und guter Qualität zusammenzuarbeiten, die Qualität ist uns sehr wichtig.

—— Jarmila

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1064nm 800nm 680nm AR-Beschichtung TSAG optisch aktive Kristalle

1064nm 800nm 680nm AR Coating TSAG Optically Active Crystals
1064nm 800nm 680nm AR Coating TSAG Optically Active Crystals
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Großes Bild :  1064nm 800nm 680nm AR-Beschichtung TSAG optisch aktive Kristalle

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS/ROHS
Modellnummer: JCR200608-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pc
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000 Stück pro Woche
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Typ: TSAG Rod Durchmesser: 3 Zoll.
Durchmesser-Toleranz: +0/-0.05mm Längen-Toleranz: +/-0.2mm
Löschungs-Verhältnis: bis zu 35dB Oberflächenqualität: 10-5
AR-Beschichtung: 405-980nm/1064nm Welle Front Distortion: <1>
Hervorheben:

Gadoliniumgalliumgranat

,

ggg Substrat

,

TSAG aktive Kristalle optisch

TSAG-Kristalle für Faraday-Isolator 1064nm 800nm 680nm AR-Beschichtung

 

Beschreibung:

 

TSAG ist ein perfektes magnetoptisches Kristall, das in sichtbaren und infraroten Wellenlängen verwendet werden kann.Gute thermische und mechanische Eigenschaften machen TSAG zu einem sehr zuverlässigen Material, das für Faserlaser der nächsten Generation geeignet istIm Vergleich zu TGG hat TSAG bei 1064 nm eine um etwa 20% höhere Verdet-Konstante und eine um etwa 30% geringere Absorption.

 

 

Eigenschaften:

  • Große Verdet-Konstante ((48 radT-1m-1 bei 1064 nm), etwa 20% höher als bei TGG;

  • Niedrige Absorption (< 3000 ppm/cm bei 1064 nm), etwa 30% geringer als bei TGG

  • Hochleistungssicherung;

  • Niedrige thermisch induzierte Zweibrüchigkeit;

  • Der Isolator wird kleiner.

 

Anwendungen:

  • Faraday-Isolator auf Basis von TSAG-Kristallen für Hochleistungslaser

  • Anwendungen für Bildgebung:Szintillierungseigenschaften von TSAG-Kristall für Bildgebungsanwendungen

 

Hauptmerkmale:

         

Übertragbarkeitsbereich (bulk/uncoated) 400 bis 1600 nm
Kristallstruktur Kubik, Raumgruppe Ia3d
Chemische Formel Tb3Sc2Al3O12
Gitterparameter a=12,3Å
Wachstumsmethode Czochralski
Dichte 50,91 g/cm3
Schmelzpunkt 1970°C±10°C

 

 

CRYSTRO liefert TGG-Kristalle mit:

 

 

Orientierung ± 15′
Wellenfrontverzerrung < λ/8
Aussterbungsquote > 30 dB
Durchmesser Toleranz +/- 0,05 mm
Längentoleranz +/- 0,1 mm
Schaum 0.1 mm @ 45°
Flachheit < λ/10 bei 633 nm
Parallelismus Die Nummern 3 und 4 gelten nicht.
Vertikalisierung < 5′
Oberflächenqualität 10/5
AR-Beschichtung < 0,3% @ 1064 nm

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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