Produktdetails:
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Material: | TSAG-Kristall | Durchmesser: | Besonders angefertigt |
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Aussterbeverhältnis: | bis zu 35dB | Beförderungs-Strecke: | 400-1600nm |
Oberflächenqualität: | 10-5 | AR-Beschichtung: | <0> |
Orientierung: | <111>,<100> ±15 ′ | ||
Markieren: | Gadoliniumgalliumgranat,ggg Substrat,Niedrige Kristalle der Absorptions-TSAG |
TSAG-Magnetoptikkristall kann einzelne Kristalle TGG ersetzen
Beschreibung:
TSAG ist perfekter Magnetoptikkristall, der in den sichtbaren und Infrarotwellenlängenbereichen benutzt werden kann. Gute thermische und mechanische Eigenschaften machen TSAG sehr zuverlässiges materielles passendes für Faserlaser der nächsten Generation. Verglichen mit TGG, hat TSAG ungefähr 20% höheres konstantes Verdet und ungefähr 30% niedrigere Absorption bei 1064 Nanometer.
Eigenschaften:
Große Verdet-Konstante (48 radT-1m-1 bei 1064 Nanometer), ungefähr 20% höher als das von TGG;
Niedrige Absorption (<3000 ppm/cm bei 1064 Nanometer), ungefähr 30% weniger als das von TGG
Hohe Leistung konform;
Niedrige thermisch-bedingte Doppelbrechung;
Den Isolator klein herstellen.
Anwendungen:
Faraday-Isolator basiert auf TSAG-Kristall für Laser der hohen Leistung
Darstellungsanwendungen: Szintillationseigenschaften von TSAG-Kristall für Darstellungsanwendungen
Kristall CRYSTRO-Versorgung TGG mit:
Beförderungs-Strecke (Masse/unbeschichtetes) | 400-1600 Nanometer |
Kristallstruktur | Kubik, Raumgruppe Ia3d |
Chemische Formel | Tb3Sc2Al3O12 |
Gitter-Parameter | a=12.3 Å |
Wachstums-Methode | Czochralski |
Dichte | 5,91 g/cm3 |
Schmelzpunkt | 1970℃±10℃ |
Orientierung | ±15 ′ |
Wellenfront-Verzerrung | <λ/8 |
Löschungs-Verhältnis | DB >30 |
Durchmesser-Toleranz | +0,00 mm/-0.05 Millimeter |
Längen-Toleranz | +0,2 mm/-0.2 Millimeter |
Abschrägung | 0,1 Millimeter @ 45° |
Flachheit | <λ/10 bei 633 Nanometer |
Parallelismus | <3 ′ |
Perpendicularity | <5 ′ |
Oberflächenbeschaffenheit | 10/5 |
AR-Beschichtung | <0.3% @ 1064 Nanometer |
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
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