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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Gd3Al2Ga3O12 Cer GAGG einzelner Crystal Substrates

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

—— Jarmila

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10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Gd3Al2Ga3O12 Cer GAGG einzelner Crystal Substrates

10x10x0.5mm High Output Gd3Al2Ga3O12 Ce GAGG Single Crystal Substrates
10x10x0.5mm High Output Gd3Al2Ga3O12 Ce GAGG Single Crystal Substrates 10x10x0.5mm High Output Gd3Al2Ga3O12 Ce GAGG Single Crystal Substrates

Großes Bild :  10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Gd3Al2Ga3O12 Cer GAGG einzelner Crystal Substrates

Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: Crystro
Zertifizierung: ISO9001,RoHS,Reach
Modellnummer: CR210628-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1PC
Preis: USD 66/pc
Verpackung Informationen: Transparenter sauberer Kasten
Lieferzeit: 1-2 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 5000pcs pro Monat
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Einzelteil: 10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Cer GAGG einzelner Crystal Substrates Größe: 10x10x0.5mm
Wachstumsmethode: Czocharalski Chemischer Formular: Gd3Al2Ga3O12
Dichte: 6.63g/cm3 Anwendung: HAUSTIER, SPECT, CT.
Polnisches: 10/5 Maximaler Durchmesser: 60MM
Markieren:

GAGG einzelner Crystal Substrates

,

Gd3Al2Ga3O12 einzelner Crystal Substrates

,

Cer lackierte GAGG-Substrate

10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Cer GAGG einzelner Crystal Substrates

 

GAGG (Cer) (Cer: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) ist neues scintillator für einzelne Elektronentdeckung der Photonemissionscomputertomographie (SPECT), -gammastrahls und -comptons. Cer lackierte GAGG haben viele Eigenschaften, die es passend für Gammaspektroskopie- und -Bildgebungsanwendungen machen. Eine hohe Photonertrag- und -emissionsspitze herum 520 Nanometer lässt das Material gut angepasst Auslesen durch Silikon-Fotovervielfacherdetektoren sein.

 

Crystros GAGG-Oblate wird durch Czochralski-Methode gewachsen. Maximale Durchmesserreichweite 3inch, ist es jetzt die größte Größe diesbezüglich archiviert, uns kann Sondergröße und Spezifikt., rougness<0>

 

GAGG (Cer) ist ein sehr viel versprechendes scintillator auf dem industriellen Gebiet der Hochenergie, als es auf Lebentest unter 115kv, 3mA und der Strahlenquelle, die in einem 150 Millimeter-Abstand vom Kristall gelegen ist gekennzeichnet wurde, nach 20 Stunden, welche die Leistung fast die selbe wie das frische ist. Es bedeutet, dass es eine gute Aussicht hat, zum der hohen Dosis unter Röntgenstrahlbestrahlung zu widerstehen, selbstverständlich es von den Bestrahlungszuständen und im Falle mit GAGG für zerstörungsfreie Prüfung weiter gehen fördert genauen Testbedarf geleitet zu werden abhängt.

 

 

Eigenschaften:

 

Hohe Dichte
Glanzpunktertrag
Schnelle Ausschwingzeit
Chemisch träge
Hohe Empfindlichkeit
Hochenergieentschließung

 

Hauptvorteile:

 

1. Verhältnismäßig hell – Ausstrahlen >50,000 von Photonen/MeV

2. Gute Absorber mit guten Bremsvermögen - Dichte 6,63 g/cm ³

3. Breit, ausstrahlend mit einer Spitze 540nm

4. Gute Energieentschließung

  • Gute Absorber mit guten Bremsvermögen - Dichte 6,63 g/cm ³
  • Robust mit guten mechanisch Eigenschaften

Hauptanwendungen:

  • Medizinische Bildgebung - HAUSTIER, PEM, SPECT und CT
  • Spezialistenanwendungen in der Hochenergie, Kern, im Raum und in der medizinischen Arznei

 

10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Gd3Al2Ga3O12 Cer GAGG einzelner Crystal Substrates 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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