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Einzelteil: | 10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Cer GAGG einzelner Crystal Substrates | Größe: | 10x10x0.5mm |
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Wachstumsmethode: | Czocharalski | Chemischer Formular: | Gd3Al2Ga3O12 |
Dichte: | 6.63g/cm3 | Anwendung: | HAUSTIER, SPECT, CT. |
Polnisches: | 10/5 | Maximaler Durchmesser: | 60MM |
Markieren: | GAGG einzelner Crystal Substrates,Gd3Al2Ga3O12 einzelner Crystal Substrates,Cer lackierte GAGG-Substrate |
10x10x0.5mm mit hohem Ausschuss Cer GAGG einzelner Crystal Substrates
GAGG (Cer) (Cer: GAGG, Gd3Al2Ga3O12) ist neues scintillator für einzelne Elektronentdeckung der Photonemissionscomputertomographie (SPECT), -gammastrahls und -comptons. Cer lackierte GAGG haben viele Eigenschaften, die es passend für Gammaspektroskopie- und -Bildgebungsanwendungen machen. Eine hohe Photonertrag- und -emissionsspitze herum 520 Nanometer lässt das Material gut angepasst Auslesen durch Silikon-Fotovervielfacherdetektoren sein.
Crystros GAGG-Oblate wird durch Czochralski-Methode gewachsen. Maximale Durchmesserreichweite 3inch, ist es jetzt die größte Größe diesbezüglich archiviert, uns kann Sondergröße und Spezifikt., rougness<0>
GAGG (Cer) ist ein sehr viel versprechendes scintillator auf dem industriellen Gebiet der Hochenergie, als es auf Lebentest unter 115kv, 3mA und der Strahlenquelle, die in einem 150 Millimeter-Abstand vom Kristall gelegen ist gekennzeichnet wurde, nach 20 Stunden, welche die Leistung fast die selbe wie das frische ist. Es bedeutet, dass es eine gute Aussicht hat, zum der hohen Dosis unter Röntgenstrahlbestrahlung zu widerstehen, selbstverständlich es von den Bestrahlungszuständen und im Falle mit GAGG für zerstörungsfreie Prüfung weiter gehen fördert genauen Testbedarf geleitet zu werden abhängt.
Eigenschaften:
Hohe Dichte
Glanzpunktertrag
Schnelle Ausschwingzeit
Chemisch träge
Hohe Empfindlichkeit
Hochenergieentschließung
Hauptvorteile:
1. Verhältnismäßig hell – Ausstrahlen >50,000 von Photonen/MeV
2. Gute Absorber mit guten Bremsvermögen - Dichte 6,63 g/cm ³
3. Breit, ausstrahlend mit einer Spitze 540nm
4. Gute Energieentschließung
Hauptanwendungen:
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
Faxen: 86-0551-63840588