|
Produktdetails:
Zahlung und Versand AGB:
|
| Material: | 9 x 9 Kristall X.25 Millimeter LiNbO3 für Schalter Elementaroperation Q | Ursprung: | China |
|---|---|---|---|
| Crystal Sturucture: | Trigonal, Raumgruppe R3c, Punktgruppe 3m | Schmelzpunkt: | 1253℃ |
| Zerfließen: | Kein | Transparenz-Strecke: | 420-5200nm |
| Absorptions-Koeffizient: | ~0.1%/cm @1064nm | Brechungskoeffizienten: | ne=2.156, no= 2.232@1064nm |
| Markieren: | Kristall q-Schalters linbo3,Kristall Elementaroperation linbo3,Elementaroperations-Piezoeffekt-Kristalle |
||
9 x 9 Kristall X.25 Millimeter LiNbO3 für Schalter Elementaroperation Q
LiNbO3 ist auch als Galvano-Optikmodulatoren und O-Schalter für Nd weitverbreitet: YAG, Nd: YLF und Ti: Saphirlaser sowie -modulatoren für Faseroptik. Die folgende Tabellenliste, welche die Spezifikationen eines typischen Kristalles LiNbO3 als Q-Schalter mit Quer-Elementaroperations-Modulation benutzten. Das Licht pflanzt in der Zachse fort. Die Galvano-Optikkoeffizienten von LiNbO3 sind: r33=32pm/V, r31=10pm/V, r22=6,8pm/VananNiederfrequenz-undr33=31pm/V, r31=8,6pm/V, r22=3,4pm/VbeihoherelektrischerFrequenz. DieHalbwellenspannung: Vπ =λd/no3γc1, γc = (ne/no) 3γ33-γ13.
reines LN und MgO lackiertes LN (MgO: LN-) Kristalle mit Goldbeschichtungen auf Seitenflächen für Elektroden sind- verfügbar
Crystro stellt zur Verfügung:
Spezifikationen von LN Elementaroperations-Komponenten:
| Wellenfront-Verzerrung: | Kleiner als λ/8 @ 633 Nanometer |
| Maß-Toleranz: | (W+/-0.1 Millimeter) x (H+/-0.1 Millimeter) x (L+0.5/-0.1 Millimeter) |
| Klare Öffnung: | > 90% zentraler Bereich |
| Flachheit: | λ/8 @ 633 Nanometer |
| Oberflächenbeschaffenheit: | Kratzer/Grabung 10/5 pro MIL-O-13830A |
| Parallelismus: | besser als 20 Bogensekunden |
| Perpendicularity: | 5 Bogenminuten |
| Winkeltoleranz: | Δθ < 0="">O, Δφ < 0="">O |
LiNbO3 Q-Schalter Spezifikationen:
| Größe | 9 x 9 X.25 Millimeter3 oder 4 x 4 x 15 Millimeter3 |
| Andere Größe ist auf Anfrage verfügbar | |
| Toleranz der Größe | Z-Achse: ± 0.2mm |
| X-Achse und Y-Achse: ± 0.1mm | |
| Chanfer | weniger als 0,5 Millimeter an |
| Genauigkeit der Orientierung | Z-Achse: < ′ ±5, X-Achse und Y-Achse: < ±10 ′ |
| Parallelismus | ′ <20 ′ |
| Ende | 10/5 Kratzer/Grabung |
| Flachheit | λ/8 an 633nm |
| AR-Beschichtung | R<0.2% @1064nm |
| Elektroden | Gold/Chrome überzogen auf X-Gesichtern |
| Wellenfront-Verzerrung | <λ/4 @633nm |
| Löschungs-Verhältnis | >400:1 @633nm, φ 6mm Strahl |
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
Faxen: 86-0551-63840588
