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Cr⁴⁺:YAG Passive Q-Switch Saturable Absorber Crystal, High Laser Damage Threshold & Stable Repetitive Frequency Operation

Name: Cr⁴⁺:YAG Passive Q-Switch Saturable Absorber Crystal, High Laser Damage Threshold & Stable Repetitive Frequency Operation
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: CCR-2026-13-02
Price: 252.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	CCR-2026-13-02
Lieferzeit:	4-5 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Orientierung:

<111>, <100>±5°

Anfangs-Absorptionskoeffizient:

0,5 bis 6 cm -1 bei 1064 nm

Erste Übertragbarkeit:

5 % bis 95 % bei 1064 nm

Größe der Komponente:

Durchmesser: 3 ~ 20 mm; Länge*Breite: 3×3~20×20mm

Maßtoleranz:

Durchmesser: 0/-0,05 mm, Länge: ±0,5 mm

Zylindrische Bearbeitung:

Feines Schleifen

Parallelität der Stirnflächen:

≤30"

Ebenheit der Endfläche:

λ/8 bei 632,8 nm

Oberflächenqualität:

20-10 (MIL-O-13830A)

Reflexionsgrad der AR-Beschichtung:

≤0,25 % bei 1064 nm

Anti-Laser-Schadensschwelle der Beschichtung:

≥500 MW/cm2

Hervorheben:

Cr⁴⁺:YAG Q-Switch crystal

Passive Q-Switch saturable absorber

High damage threshold laser crystal

Beschreibung des Produkts

Cr⁴⁺:YAG Passive Q-Switch Saturable Absorber Crystal, High Laser Damage Threshold & Stable Repetitive Frequency Operation

Cr 4+ :YAG crystal is excellent passive Q-switched crystal widely used in 1μm neodymium and ytterbium lasers. It has the characteristics of high output efficiency of Q switch and suitable for repetitive frequency work. It has a high resistance to photodamage threshold, is more stable and durable than dyes and color center saturable absorbers, and can replace electro-optic Q switches to output high-power laser pulses in some cases.

Chromium doped yttrium aluminum garnet (Cr 4+ : YAG) Cr: Y 3 Al 5 O 12 crystal It is suitable for Q switch, diode pumping, Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YVO 4 pumping lamps and others Lasers with a wavelength of 0.8~1.2um doped with Nd or Yb.

Main features:

High chemical stability and reliability

long life

Good thermal conductivity

High damage threshold (>500MW/cm 2 )

Available as a high power, solid state and compact passive Q-switched switch

easy to operate

Material properties:

Crystal structure	Cubic system
Lattice constant	12.01 Å
Melting point	1970°C
Moh's hardness	8.5
Density	4.56g/ cm3
Specific heat	0.59J/g.cm 3 @0-20℃
Coefficient of thermal expansion	[111] Direction: 7.8×10 -6 /K@0~250℃

Schlagworte:

1.2μm Einkristallsubstrate

1.2 μm Magnesium-Aluminat-Spinel

Spinell aus Magnesiumaluminat MgAl2O4

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Cr⁴⁺:YAG Passive Q-Switch Saturable Absorber Crystal, High Laser Damage Threshold & Stable Repetitive Frequency Operation

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Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	CCR-2026-13-02
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

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Herkunftsort:

China

Markenname:

Crystro

Modellnummer:

CCR-2026-13-02

Orientierung:

<111>, <100>±5°

Anfangs-Absorptionskoeffizient:

0,5 bis 6 cm -1 bei 1064 nm

Erste Übertragbarkeit:

5 % bis 95 % bei 1064 nm

Größe der Komponente:

Durchmesser: 3 ~ 20 mm; Länge*Breite: 3×3~20×20mm

Maßtoleranz:

Durchmesser: 0/-0,05 mm, Länge: ±0,5 mm

Zylindrische Bearbeitung:

Feines Schleifen

Parallelität der Stirnflächen:

≤30"

Ebenheit der Endfläche:

λ/8 bei 632,8 nm

Oberflächenqualität:

20-10 (MIL-O-13830A)

Reflexionsgrad der AR-Beschichtung:

≤0,25 % bei 1064 nm

Anti-Laser-Schadensschwelle der Beschichtung:

≥500 MW/cm2

Lieferzeit:

4-5 Wochen

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T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

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Cr⁴⁺:YAG Q-Switch crystal

Passive Q-Switch saturable absorber

High damage threshold laser crystal

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Cr⁴⁺:YAG Passive Q-Switch Saturable Absorber Crystal, High Laser Damage Threshold & Stable Repetitive Frequency Operation

Main features:

High chemical stability and reliability

long life

Good thermal conductivity

High damage threshold (>500MW/cm 2 )

Available as a high power, solid state and compact passive Q-switched switch

easy to operate

Material properties:

Crystal structure	Cubic system
Lattice constant	12.01 Å
Melting point	1970°C
Moh's hardness	8.5
Density	4.56g/ cm3
Specific heat	0.59J/g.cm 3 @0-20℃
Coefficient of thermal expansion	[111] Direction: 7.8×10 -6 /K@0~250℃

Schlagworte:

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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Cr⁴⁺:YAG Q-Switch crystal

Passive Q-Switch saturable absorber

High damage threshold laser crystal

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Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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Passive Q-Switch saturable absorber

High damage threshold laser crystal