Einzelheiten zu den Produkten

Zu Hause Produkte

4-Zoll SGGG-Substrat in Großformat, Gadolinium-Gallium-Granat-Einkristall, (111) EPI-Qualität poliert, Faraday-Rotator für 1,6T/CPO-Optikmodule, Epitaxie von hochkapazitiven magneto-optischen Filmen

4-Zoll SGGG-Substrat in Großformat, Gadolinium-Gallium-Granat-Einkristall, (111) EPI-Qualität poliert, Faraday-Rotator für 1,6T/CPO-Optikmodule, Epitaxie von hochkapazitiven magneto-optischen Filmen

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	SCR-2026-08-26-03
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union,

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Nenngröße:

4 Zoll (Φ101,6 mm)

Kristallstruktur:

Kubisch, Raumgruppe Ia3d

Vergittern Sie konstantes:

12,497 ± 0,003 Å

Oberflächenrauheit:

Ra ≤ 1 nm, EPI-fähig

Ebenheit (Max-Min):

≤ 6 μm (80 % zentrale effektive Fläche)

Gesamtdickenvariation:

≤ 6 μm

Versetzungsdichte:

≤ 10 cm⁻²（80 % Zentralfläche）

Gittereinheitlichkeit:

Vollwafer ≤ 0,003 Å

Dielektrizitätskonstante:

ε ≈ 30

Hervorheben:

4-Zoll SGGG-Substrat für Faraday-Rotator

Gadolinium-Gallium Garnet Single Crystal Substrate

EPI-Qualität poliertes Substrat für Optikmodule

Beschreibung des Produkts

4-Zoll SGGG Substrat in Großformat, Gadolinium Gallium Granat Einkristall, (111) EPI-Qualität poliert, Faraday-Rotator für 1,6T/CPO optische Module, Epitaxie von großkapazitiven magneto-optischen Filmen

Das 4-Zoll SGGG Substrat in Großformat ist eine High-End-Spezifikation für die nächste Generation von Hochgeschwindigkeits-optischer Kommunikation (1,6T/CPO) und groß angelegte Produktionslinien. Mit einem Durchmesser von 101,6 mm und einer Standarddicke von 800 ± 30 µm (oder kundenspezifisch) basiert es auf der Technologie des großformatigen Einkristallwachstums. Die Gitterkonstanten-Gleichmäßigkeit über den gesamten Wafer beträgt ≤ 0,003 Å, die Versetzungsdichte ≤ 10 cm⁻², und die effektive Fläche ≥ 80 %. Die Anzahl der Rotator-Chips pro Wafer erhöht sich im Vergleich zu 3-Zoll-Wafern um ca. 75 %, was die Kosten pro Chip erheblich senkt.

Das Wachstum von großformatigen SGGG-Kristallen ist technisch anspruchsvoll und erfordert eine strenge Kontrolle des thermischen Feldes, Reinheit der Rohmaterialien und Glühprozesse. Durch optimiertes Czochralski-Wachstum und mehrstufiges Glühen erreicht dieses Produkt eine Kristallqualität mit geringer Spannung, geringer Absorption und hoher Gleichmäßigkeit. In Kombination mit primären/sekundären Flats und EPI-Qualität Super-Glatt-Politur erfüllt es die Anforderungen der großformatigen Massenproduktion von High-End-Epitaxieanlagen für magneto-optische Filme.

Schlüsselfunktionen

Großformatiges Substrat für die 1,6T/CPO-Ära:

4-Zoll-Großformat ermöglicht Massenproduktion von Rotatoren für High-Speed-Module der nächsten Generation, mehr Chips pro Wafer

Geringere Kosten pro Chip:

~75 % größere effektive Fläche als 3-Zoll, reduziert Epitaxie-, Dicing- und Inspektionskosten

High-End-Epitaxie von magneto-optischen Filmen:

Hohe Gittergleichmäßigkeit gewährleistet konsistente Dicke und magneto-optische Leistung von großflächigen BIG-Filmen

Kernmaterial für heimische Substitution:

Bricht das ausländische Monopol auf großformatige SGGG-Substrate, unterstützt die Unabhängigkeit der heimischen Lieferkette für optische Module