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Zu Hause Produits

YIG SGGG Substrate Wafer

Name: YIG SGGG Substrate Wafer
Brand: ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
SKU: Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
Price: 110.00 USD
Availability: InStock

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Lieferzeit:	4-5weeks
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Zertifizierung:

SGS/ROHS

Material:

SGGG

Flachheit:

<1>

Name:

Subsituted-Gadolinium-Gallium-Granat SGGG

Kristallwachstumsmethode:

Czochralski

Orientierung:

(100), (111) +/- 0,5°

Größe:

10 mm x 10 mm x 0,5 mm

Durchmesser-Toleranz:

± 0,05 mm

Längen-Toleranz:

±0,2 mm

Verpackung Informationen:

Transparenter sauberer Kasten

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

5000 Stück pro Monat

Hervorheben:

YIG SGGG Substrat

Gadolinium-Gallium-Granat ersetzt

YIG SGGG Substrate Wafer

Beschreibung des Produkts

YIG SGGG Substrate Wafer

Der SGGG-Granat wird mit der Czochralski-Methode angebaut.

SGGG-Substrat eignet sich hervorragend für den Anbau von bismuthsubstituierten epitaxialen Eisengarnet-Filmen, ist ein gutes Material für YIG, BiYIG, GdBIG.

Anhui Crystro Crystal Materials Co., Ltd. ist spezialisiert auf Forschung und Entwicklung von Kristallwissenschaft und Technologie, unsere
Das Geschäftsfeld konzentriert sich hauptsächlich auf die Forschung und Entwicklung von hochtechnologischen Kristallstoffen, die Herstellung und multidisziplinäre Lösungen.Fahrzeug, Medizin, Schönheitsindustrie und andere Branchen.

Eigenschaften:

Eigenschaften von Kristallen
Kristallwachstumsmethode	Czochralski
Kristallwachstumsorientierung	(100), (111)
Höchstgröße	3 Zoll Durchmesser
- Abweichungen	Dopands auf Anfrage
Kristallographische Eigenschaften
Kristallographische Struktur	Kübel
	a = 12,383 Å
	a = 12,505 ÅGHG
Mineralogische	Granat
Zwillingsstruktur	Das ist perfekt.
Farbe	Farblos /Bräunlich SGGG
Physikalische Eigenschaften
Dichte	70,09 g/cm3
Schmelzpunkt	1730 °C
Härte	7.5 (Mohs)
Dielektrische Konstante	30
Dielektrische Verlusttangente (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Optische Eigenschaften
Übertragungsbereich	0.3 bis 7.0 mm
Brechungsindex:	nd = 1,9708 bei 577 nm

CRYSTRO liefert GGG-Kristall mit:

Orientierung	<111> <100> innerhalb von ±15 Bogenmin
Verzerrung der Wellenfront	< 1/4 Welle@632
Durchmesser Toleranz	± 0,05 mm
Längentoleranz	±0,2 mm
Schaum	0.10mm@45o
Flachheit	< 1/10 Welle bei 633 nm
Parallelismus	< 30 Bogensekunden
Vertikalisierung	< 15 Bogenmin
Oberflächenqualität	10/5 Abkratzen/Gruben
Offene Öffnung	> 90%
Große Kristallgrößen	20,8 bis 76 mm Durchmesser

Anwendung:

GGG ersetzen

YIG,BIG-Epitaksiefilm;

Mikrowellengeräte;

Schlagworte:

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Einzelkristall Substrate

YIG SGGG Substrate Wafer

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YIG SGGG Substrate Wafer

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.
MOQ:	1pc
Verpackungsdetails:	Transparenter sauberer Kasten
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Markenname:

Crystro

Zertifizierung:

SGS/ROHS

Modellnummer:

Die in Absatz 1 genannten Bedingungen gelten nicht.

Material:

SGGG

Flachheit:

<1>

Name:

Subsituted-Gadolinium-Gallium-Granat SGGG

Kristallwachstumsmethode:

Czochralski

Orientierung:

(100), (111) +/- 0,5°

Größe:

10 mm x 10 mm x 0,5 mm

Durchmesser-Toleranz:

± 0,05 mm

Längen-Toleranz:

±0,2 mm

Min Bestellmenge:

1pc

Verpackung Informationen:

Transparenter sauberer Kasten

Lieferzeit:

4-5weeks

Zahlungsbedingungen:

T/T, Western Union, MoneyGram, PayPal

Versorgungsmaterial-Fähigkeit:

5000 Stück pro Monat

Hervorheben:

YIG SGGG Substrat

Gadolinium-Gallium-Granat ersetzt

YIG SGGG Substrate Wafer

Beschreibung des Produkts

YIG SGGG Substrate Wafer

Der SGGG-Granat wird mit der Czochralski-Methode angebaut.

SGGG-Substrat eignet sich hervorragend für den Anbau von bismuthsubstituierten epitaxialen Eisengarnet-Filmen, ist ein gutes Material für YIG, BiYIG, GdBIG.

Eigenschaften:

Eigenschaften von Kristallen
Kristallwachstumsmethode	Czochralski
Kristallwachstumsorientierung	(100), (111)
Höchstgröße	3 Zoll Durchmesser
- Abweichungen	Dopands auf Anfrage
Kristallographische Eigenschaften
Kristallographische Struktur	Kübel
	a = 12,383 Å
	a = 12,505 ÅGHG
Mineralogische	Granat
Zwillingsstruktur	Das ist perfekt.
Farbe	Farblos /Bräunlich SGGG
Physikalische Eigenschaften
Dichte	70,09 g/cm3
Schmelzpunkt	1730 °C
Härte	7.5 (Mohs)
Dielektrische Konstante	30
Dielektrische Verlusttangente (10 GHz)	ca. 3,0 * 10_4
Optische Eigenschaften
Übertragungsbereich	0.3 bis 7.0 mm
Brechungsindex:	nd = 1,9708 bei 577 nm

CRYSTRO liefert GGG-Kristall mit:

Orientierung	<111> <100> innerhalb von ±15 Bogenmin
Verzerrung der Wellenfront	< 1/4 Welle@632
Durchmesser Toleranz	± 0,05 mm
Längentoleranz	±0,2 mm
Schaum	0.10mm@45o
Flachheit	< 1/10 Welle bei 633 nm
Parallelismus	< 30 Bogensekunden
Vertikalisierung	< 15 Bogenmin
Oberflächenqualität	10/5 Abkratzen/Gruben
Offene Öffnung	> 90%
Große Kristallgrößen	20,8 bis 76 mm Durchmesser

Anwendung:

GGG ersetzen

YIG,BIG-Epitaksiefilm;

Mikrowellengeräte;

Schlagworte:

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Einzelheiten zu den Produkten

YIG SGGG Substrate Wafer

YIG SGGG Substrat

Gadolinium-Gallium-Granat ersetzt

YIG SGGG Substrate Wafer

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Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

YIG SGGG Substrate Wafer

YIG SGGG Substrat

Gadolinium-Gallium-Granat ersetzt

YIG SGGG Substrate Wafer