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Produktdetails:
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| Typ: | TSAG-Block | Durchmesser: | 1-70mm |
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| Verdet-Konstante: | 48 radT-1m-1 bei 1064 nm | Absorption: | <3000 ppm/cm bei 1064 nm |
| Löschungs-Verhältnis: | bis zu 35dB | Oberflächenqualität: | 10-5 |
| AR-Beschichtung: | <0> | Welle Front Distortion: | <1> |
| Hervorheben: | Gadoliniumgalliumgranat,ggg Substrat,TSAG-Block-optische Kristalle |
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TSAG-Kristalle für Faraday-Isolator Größere Verdet-Konstante als TGG-Kristalle
Beschreibung:
TSAG Faraday Kristall ist ein idealer magnetoptischer Kristall, der hauptsächlich im Wellenlängenbereich von 400-1600 Nanometer, nämlich im sichtbaren und Infrarotband, verwendet wird.TSAG ist ein unverzichtbarer Kristall für die nächste Generation von Hochleistungslasern aufgrund seiner Vorteile bei hoher KonstanteIm Vergleich zu TGG ist die Verdet-Konstante bei 1064 nm TSAG um 20% höher und die Absorption um 30% geringer.Die optischen und scintillierenden Eigenschaften des TSAG-Kristalls (Tb3Sc2Al3O12) wurden untersucht., und die Fähigkeit, als Scintillatorbildschirm verwendet zu werden, wurde gezeigt.
Eigenschaften:
Große Verdet-Konstante ((48 radT-1m-1 bei 1064 nm), etwa 20% höher als bei TGG;
Niedrige Absorption (< 3000 ppm/cm bei 1064 nm), etwa 30% geringer als bei TGG
Hochleistungssicherung;
Niedrige thermisch induzierte Zweibrüchigkeit;
Der Isolator wird kleiner.
Anwendungen:
Faraday-Isolator auf Basis von TSAG-Kristallen für Hochleistungslaser
Anwendungen für Bildgebung:Szintillierungseigenschaften von TSAG-Kristall für Bildgebungsanwendungen
Hauptmerkmale:
| Übertragbarkeitsbereich (bulk/uncoated) | 400 bis 1600 nm |
| Kristallstruktur | Kubik, Raumgruppe Ia3d |
| Chemische Formel | Tb3Sc2Al3O12 |
| Gitterparameter | a=12,3Å |
| Wachstumsmethode | Czochralski |
| Dichte | 50,91 g/cm3 |
| Schmelzpunkt | 1970°C±10°C |
CRYSTRO liefert TGG-Kristalle mit:
| Orientierung | ± 15′ |
| Wellenfrontverzerrung | < λ/8 |
| Aussterbungsquote | > 30 dB |
| Durchmesser Toleranz | +/- 0,05 mm |
| Längentoleranz | +/- 0,1 mm |
| Schaum | 0.1 mm @ 45° |
| Flachheit | < λ/10 bei 633 nm |
| Parallelismus | Die Nummern 3 und 4 gelten nicht. |
| Vertikalisierung | < 5′ |
| Oberflächenqualität | 10/5 |
| AR-Beschichtung | < 0,3% @ 1064 nm |
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
Faxen: 86-0551-63840588
