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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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Dünnfilm LaAlO3 der Runde 6.52g/Cm3 Oblaten-Kristall-doppelte Seite polierte

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

—— Jarmila

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Dünnfilm LaAlO3 der Runde 6.52g/Cm3 Oblaten-Kristall-doppelte Seite polierte

6.52g/Cm3 Round thin film LaAlO3 Wafer Crystals Double Side Polished
6.52g/Cm3 Round thin film LaAlO3 Wafer Crystals Double Side Polished 6.52g/Cm3 Round thin film LaAlO3 Wafer Crystals Double Side Polished

Großes Bild :  Dünnfilm LaAlO3 der Runde 6.52g/Cm3 Oblaten-Kristall-doppelte Seite polierte

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS
Modellnummer: CR210122-01
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pc
Preis: Negotiable
Verpackung Informationen: Kartonpaket
Lieferzeit: 3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs/month
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Kundengerechter einzelner Crystal Laalo Substrates Orientierung: <100><111>,<110>
Umlenkungs-Präzision: ±0.2° RA: < 5A="">
Thermische Expansion: 9.4x10-6/℃ Polnisch: doppelte Seite poliert
Dielektrizitätskonstanten: ε=21 Art: Runde, Quadrat, Ebenen
Markieren:

Oblate 6.52g/Cm3 LaAlO3

,

Runde Oblate LaAlO3

,

Kristalle 6.52g/Cm3 LaAlO3

 

Haupteigenschaften:

 

Major Parameters
Kristallstruktur M6 (normale Temperatur) M3 (>435℃)
Einheitszellkonstante M6 ein = 5,357 Wechselstrom =13.22 A M3 a=3.821 A
Schmelzpunkt (℃) 2080
Dichte 6,52 (g/cm3)
Härte 6-6.5 (mohs)
Thermische Expansion 9.4x10-6/℃
Dielektrizitätskonstanten ε=21
Sekantenverlust (10ghz) ~3×10-4@300k, ~0.6×10-4@77k
Farbe und Auftritt Um zu tempern und Bedingungen unterscheiden sich vom Braun zu bräunlichem
Chemische Stabilität Unlöslich in der Mineralsäure bei Zimmertemperatur, lösliches inH 3PO4bei denTemperaturenüber°C150
Eigenschaften Für Mikrowellenelektrongerät
Wachstumsmethode Czochralski-Methode
Größe Größe auf Anfrage, der größte Durchmesser 3 Zoll
Ф15, Ф20, Ф1 ″, Ф2 ″, Ф2.6 ″,″ Ф3
Stärke 0.5mm, 1.0mm
Polnisch Einfach oder doppelt
Crystal Orientation <100> <110> <111>
Umlenkungspräzision ±0.5°
Umlenkung der Rand: 2° (speziell in 1°)
Winkel von kristallenem Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar
Ra: ≤5Å (5µm×5µm)
Satz

Saubere Tasche der Klasse 100, saubere Tasche der Klasse 1000

 

 

 

Kundengerechter einzelner Crystal Laalo Substrates

 

LaAlO3 ist ein supraleitendes einzelnes Kristallsubstrat der hohen Temperatur. Es ist ein gutes Substratmaterial für Epitaxie von supraleitenden Dünnfilmen der hohen Temperatur und von riesigen magnetischen Dünnfilmen. Seine dielektrischen Eigenschaften sind für dämpfungsärme Mikrowelle und dielektrische Resonanzanwendungen passend.

Anhui Crystro Crystal Materials Co. , Wird Ltd. auf die Forschung und Entwicklung des Kristallwissenschaft und technik spezialisiert, unsere
Geschäftsbereich hauptsächlich konzentriert in der High-Techen Kristallmaterialforschung und entwicklung, in der Fertigung und in den multidisziplinären Lösungen. Die Dienstleistungsindustrien umfassen: Kommunikationen, Aerospace, Automobil, medizinisches, Schönheit und andere Industrien.

 

 

Anwendungen:

 

Elektronische Geräte, Katalyse, Hochtemperatur-Brennstoffzelle, Keramik, Abwasseraufbereitung, Substratmaterialien

 

Hauptvorteile:

 

Kleine Dielektrizitätskonstante; niedriger dielektrischer Verlust; gute Gitteranpassung; kleiner Koeffizient der thermischen Expansion; gute chemische Stabilität; breite Energielücke; große spezifische Fläche; bestimmte Tätigkeit; gute Wärmebeständigkeit

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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