Produktdetails:
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Material: | Lanthan-Aluminat LaO Single Crystal Wafer | Größe: | 3inchx0.5mm, 3inchx0.6mm |
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Schmelzpunkt (℃): | 2080 ℃ | Oberflächenende: | < 10A=""> |
Orientierung: | <100>,<111> | Umlenkungs-Präzision: | ±0.2° |
Dichte: | 6,52 (g/cm3) | Art: | Runde Wohnungen |
Markieren: | LaO Single Crystal Wafer,0.6mm Lanthan-Aluminat,0.6mm LaO Wafer |
Lanthan-Aluminat LaO Single Crystal Wafer
Kristallstruktur des Perowskits LaAlO3 von Materialien auf einer Vielzahl der guten Gitteranpassung ist ausgezeichnetes Substratmaterial Epitaxial- Dünnfilme HTS und des riesigen Magnetwiderstandes, seine dielektrischen Eigenschaften, die für dielektrischen Resonator der dämpfungsärmen Mikrowelle passend sind und die Anwendung von. HB ist das des größten vorhandenen einzelne Kristallwachstum Lanthanaluminats der Welt von Herstellern, die monatliche Produktion von 10 bis 20 Kilogramm kann, kann Stangen, Blätter und das raue Epitaxial- Substrat des Ausschnitts zur Verfügung stellen, das poliert, um den verschiedenen Bedarf des globalen Marktes zu erfüllen.
Unsere Firma:
Anhui Crystro Crystal Materials Co. , Wird Ltd. auf die Forschung und Entwicklung des Kristallwissenschaft und technik spezialisiert, unsere
Geschäftsbereich hauptsächlich konzentriert in der High-Techen Kristallmaterialforschung und entwicklung, in der Fertigung und in den multidisziplinären Lösungen. Die Dienstleistungsindustrien umfassen: Kommunikationen, Aerospace, Automobil, medizinisches, Schönheit und andere Industrien.
Anwendungen:
Elektronische Geräte, Katalyse, Hochtemperatur-Brennstoffzelle, Keramik, Abwasseraufbereitung, Substratmaterialien
Hauptvorteile:
Kleine Dielektrizitätskonstante; niedriger dielektrischer Verlust; gute Gitteranpassung; kleiner Koeffizient der thermischen Expansion; gute chemische Stabilität; breite Energielücke; große spezifische Fläche; bestimmte Tätigkeit; gute Wärmebeständigkeit
Major Parameters | ||
Kristallstruktur | M6 (normale Temperatur) | M3 (>435℃) |
Einheitszellkonstante | M6 ein = 5,357 Wechselstrom =13.22 A | M3 a=3.821 A |
Schmelzpunkt (℃) | ℃ 2080 | |
Dichte | 6,52 (g/cm3) | |
Härte | 6-6.5 (mohs) | |
Thermische Expansion | 9.4x10-6/℃ | |
Dielektrizitätskonstanten | ε=21 | |
Sekantenverlust (10ghz) | ~3×10-4@300k, ~0.6×10-4@77k | |
Farbe und Auftritt | Um zu tempern und Bedingungen unterscheiden sich vom Braun zu bräunlichem | |
Chemische Stabilität | Unlöslich in der Mineralsäure bei Zimmertemperatur, lösliches inH 3PO4bei denTemperaturenüber°C150 | |
Eigenschaften | Für Mikrowellenelektrongerät | |
Wachstumsmethode | Czochralski-Methode | |
Größe | Größe auf Anfrage | |
Ф15, Ф20, Ф1 ″, Ф2 ″, Ф2.6 ″,″ Ф3 | ||
Stärke | 0.5mm, 1.0mm | |
Polnisch | Einfach oder doppelt | |
Crystal Orientation | <100> <110> <111> | |
Umlenkungspräzision | ±0.5° | |
Umlenkung der Rand: | 2° (speziell in 1°) | |
Winkel von kristallenem | Sondergröße und Orientierung sind auf Anfrage verfügbar | |
Ra: | ≤5Å (5µm×5µm) | |
Satz |
saubere Tasche 1000 Reinraum, 100 oder einzelnes Kastenverpacken |
Ansprechpartner: Ms. Wu
Telefon: 86-18405657612
Faxen: 86-0551-63840588