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ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.
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1064nm Schalter des einzelnen Kristall-BBO NLO Pockels der Zellenq für das Hohlraum-Dumping

China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
China ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd. zertifizierungen
Die schnellen guten Lieferungs- und Qualitätsblicke, prüfen bald. Danke!

—— Jhon Klus

Ein stabiler Lieferant von uns, sehr Berufsteam.

—— Clain

Crystro ist ein langfristiger Lieferant von uns, sind wir zum coopertate mit einem Lieferanten mit einer guten Kapazität glücklich und gute Qualität, die Qualität ist für uns sehr wichtig.

—— Jarmila

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1064nm Schalter des einzelnen Kristall-BBO NLO Pockels der Zellenq für das Hohlraum-Dumping

1064nm Single Crystal BBO NLO Pockels Cell Q Switch for Cavity Dumping
1064nm Single Crystal BBO NLO Pockels Cell Q Switch for Cavity Dumping 1064nm Single Crystal BBO NLO Pockels Cell Q Switch for Cavity Dumping

Großes Bild :  1064nm Schalter des einzelnen Kristall-BBO NLO Pockels der Zellenq für das Hohlraum-Dumping

Produktdetails:
Herkunftsort: CHINA
Markenname: Crystro
Zertifizierung: SGS/ROHS
Modellnummer: CR210224-
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: 1pc
Preis: USD 50-500/pc
Verpackung Informationen: Als Anforderung der Kunden
Lieferzeit: 1-5 Wochen
Zahlungsbedingungen: T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 1000pcs pro Monat
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Material: Q-Schalter benutzen optische Kristall-NLO Kristalle BBO für Laser Crystal Quatity: Einzelner Kristall BBO
BESCHICHTUNGEN:: AR / AR @ 1064nm Aussterben Raito: > 1000: 1
Kapazitanz: <3pf> Viertelwellenspannung: 2900 - 3200V
Getriebe: > 98,5% Windows: Kein geschütztes Windows
Markieren:

Schalter NLO Pockels Zellenq

,

Schalter BBO Pockels Zellenq

,

1064nm einzelner Kristall BBO

Q-Schalter benutzen optische Kristall-NLO Kristalle BBO für Laser

 

Kristall Beta Barium Borates (BBO) ist ein nichtlinearer optischer Kristall mit einer Kombination von einzigartigen Eigenschaften: breite Transparenzregion, breite Phase-zusammenpassende Strecke, großer nichtlinearer Koeffizient, hohe Schadenschwelle, breite thermische Annahmebandbreite und hohe optische Homogenität. Zellen der hohen Leistung BBO Pockels von Crystro wird normalerweise im Bereich hoher Leistung q schalteten pulsierten Laser benutzt.

 

Schalter Elementaroperation Q von EOQ-Reihe sind Querfeldgeräte. Niedriger elektrooptischer Koeffizient BBO-Ergebnisse in den hohen Funktionierenspannungen. Die Viertelwellenspannung ist zum Verhältnis des Elektrodenabstandes und der Kristalllänge proportional. Infolgedessen hat ein kleineres Öffnungsgerät niedrigere Viertelwellenspannung. Jedoch sogar für 3mm Öffnungsgeräte ist Viertelwellenspannung so hoch wie 3.4KV@1064nm. Doppelter Kristallentwurf wird eingesetzt, um erforderliche Spannungen zu verringern und Gewährenoperation im Halbwellenmodus mit schnellen Schaltzeiten.

 

 

Vorteile:

Crystro kann viele verschiedenen Arten Pockels-Zelle zur Verfügung stellen.

Diese Elementaroperations-Q-Schalter haben verschiedene Eigenschaften und sehr gute Qualität.

Dieses haben Pockels-Zelle die verschiedenen Funktionen, zum des unterschiedlichen Bedarfs der Kunden auf den verschiedenen Gebieten zu erfüllen.

Wir haben reichlichen Vorrat und Vorzugspreis.

Der ganzer Schalter Elementaroperation Q der hohen Leistung BBO sind die garantierte Qualität.

Wir sind China-Ursprungs-Fabrik von Zelle BBO Pockels für hohe Leistung.

 

 

Anwendungen:

· Hoher Wiederholungsrate DPSS Q-Schalter
· Hohe Wiederholungsrate verbessernde Verstärkersteuerung
· Hohlraum-Dumping
· Strahln-Zerhacker

 

 
Art CR351 CR401 CR352 CR402 CR353 CR403
Typisches Maß dia25.4*35mm dia25.4*40mm dia25.4*35mm dia25.4*40mm dia25.4*35mm dia25.4*40mm
von Pockels-Zelle
Maß 3X3X20mm 3X3X25mm 4X4X20mm 4X4X25mm 5X5X20mm 5X5X25mm
vom Kristall
Klare Öffnung dia2.6mm dia3.6mm dia4.6mm
Lichtwellenleiterübertragung des einzelnen Durchlaufs >98% >98% >98% >98% >98% >98%
Löschung >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1 >1000:1
Ratio@1064nm (30db) (30db) (30db) (30db) (30db) (30db)
Spannung λ/4 3500V 2800V 4900V 3900V 5900V 4700V
Kapazitanz <3> <3> <3> <3> <3> <3>
DamageThreshold 750MW/cm ² @1064nm.10ns, 10Hz

 

1064nm Schalter des einzelnen Kristall-BBO NLO Pockels der Zellenq für das Hohlraum-Dumping 0

Kontaktdaten
ANHUI CRYSTRO CRYSTAL MATERIALS Co., Ltd.

Ansprechpartner: Ms. Wu

Telefon: 86-18405657612

Faxen: 86-0551-63840588

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