Einzelheiten zu den Produkten

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LN (LiNbO3)-Pockels-Zellen – hoher elektrooptischer Koeffizient, niedrige Halbwellenspannung, hohe Zerstörschwelle, AR-beschichtet, für Güteschalter, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

LN (LiNbO3)-Pockels-Zellen – hoher elektrooptischer Koeffizient, niedrige Halbwellenspannung, hohe Zerstörschwelle, AR-beschichtet, für Güteschalter, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	PCR-2026-13-01
Lieferzeit:	3-4 Wochen
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Blende, mm:

2,5/5/8/9

Größe:

55*28*24 mm

Wellenlänge:

1064 nm

Elektrodentyp:

Au/Cr

λ/2 Spannung (V@632,8 nm):

400/800

λ/4 Spannung (V@1064 nm):

1800-1900/2100

Einfügedämpfung:

< 3 %

Wellenfrontverzerrung:

< λ/8@632,8 nm

Löschungs-Verhältnis:

200:1 (Φ1 mm Fläche)

Hervorheben:

LN-Pockels-Zellen für Q-Switch

LiNbO3-Pockels-Zellen mit AR-Beschichtung

Pockels-Zellen mit niedriger Halbwellenspannung

Beschreibung des Produkts

LN (LiNbO3) Pockels-Zellen mit hohem elektrooptischen Koeffizient, geringer Halbwellenspannung, hoher Schadensschwelle, AR-beschichtet, für Q-Switch, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

Die LN (LiNbO3) Pockels-Zelle ist eine umfassende und ausgezeichnete Pockels-Zelle.Es hat einen hohen elektrooptischen Koeffizienten., nicht-hygroskopische Eigenschaften, breiter Transparenzbereich und ausgezeichnete mechanische und physikalische Eigenschaften, die es für Anwendungen wie elektrooptische Modulatoren geeignet machen,mit einer Leistung von mehr als 10 Watt, usw.

	Durchsichtige Öffnung	Größe der Schale	Halpha-Wellen-Lambda/4VAlterung
CPMLPC-09-1064nm-Q	9 mm	- Das ist Dia.30 mm xL26 mm	2100V λ/4 bei 1064 nmElektrooptische Q-Switching
CPMLPC-09-1064-Q-S	9 mm	Quadratische Gestaltung 18 x 17 x 20 mm	2100V λ/4 bei 1064 nmElektrooptische Q-Switching
CPLNPC-090925-3031-1064 Die Kommission hat eine Mitteilung über die Durchführung der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 veröffentlicht.	9 mm	Durchmesser 30 x 31 mm	1700 V λ/4 bei 1064 nm Elektrooptische Q-Switching
Übertragbarkeit	> 98%	TVerzerrung der Kristallemission	λ/6 @ 633 nm
Einsetzungsverlust	2%	Kristallfläche	λ/8 @ 633 nm
empfohlene Q-Schalt-Ausgangsenergie	100 mJ	Aussterbungsquote	3001 - 500:1
Kapazität	5 pF	Xoberfläche mit Au/Cr-Elektrode
Schadensschwelle	00 MW/cm²1064nm 10ns 10Hz(LNQ-Schalter

Lithiumniobat-Kristall ist aufgrund seines hohen elektrooptischen Koeffizienten, seiner nicht-hygroskopischen Eigenschaft, seiner guten Übertragung bis zu 4,0 μm eines der am häufigsten verwendeten Materialien für Q-Schalter und Phasenmodulatoren,und Querbetrieb.

Die LiNbO3-Zelle kann durch die Anwendung eines elektrischen Feldes quer in die Lichtbreitungsrichtung so konfiguriert werden, dass sie mit einer niedrigeren Spannung als die KD*P-Zelle arbeitet.Die LiNbO3 Pockels-Zelle unterstützt Infrarot-Wellenlängen bis zu 4.0 μm, was es zu einer ausgezeichneten Wahl für Anwendungen mit niedrigem bis mittlerem Leistungsgrad für Festkörperlaser (Er:YAG, Ho:YAG, Tm:YAG-Impulslaser) macht.LiNbO3 mit MgO-Doping hat einen deutlich höheren Schadensschwellenwert.

Eigenschaften

Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit
Breiter Übertragungsbereich
Niedrige Fahrspannung
Ausgezeichnete physikalisch-chemische StabilitätLN (LiNbO3) Pockels-Zelle

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Pockels-Zell-Q-Schalter

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LN (LiNbO3)-Pockels-Zellen – hoher elektrooptischer Koeffizient, niedrige Halbwellenspannung, hohe Zerstörschwelle, AR-beschichtet, für Güteschalter, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

Markenbezeichnung:	Crystro
Modellnummer:	PCR-2026-13-01
Zahlungsbedingungen:	T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

Einzelheiten

Beschreibung des Produkts

Einzelheiten

Herkunftsort:

China

Markenname:

Crystro

Modellnummer:

PCR-2026-13-01

Blende, mm:

2,5/5/8/9

Größe:

55*28*24 mm

Wellenlänge:

1064 nm

Elektrodentyp:

Au/Cr

λ/2 Spannung (V@632,8 nm):

400/800

λ/4 Spannung (V@1064 nm):

1800-1900/2100

Einfügedämpfung:

< 3 %

Wellenfrontverzerrung:

< λ/8@632,8 nm

Löschungs-Verhältnis:

200:1 (Φ1 mm Fläche)

Lieferzeit:

3-4 Wochen

Zahlungsbedingungen:

T/T, Western Union, MoneyGram, Paypal

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Pockels-Zellen mit niedriger Halbwellenspannung

Beschreibung des Produkts

	Durchsichtige Öffnung	Größe der Schale	Halpha-Wellen-Lambda/4VAlterung
CPMLPC-09-1064nm-Q	9 mm	- Das ist Dia.30 mm xL26 mm	2100V λ/4 bei 1064 nmElektrooptische Q-Switching
CPMLPC-09-1064-Q-S	9 mm	Quadratische Gestaltung 18 x 17 x 20 mm	2100V λ/4 bei 1064 nmElektrooptische Q-Switching
CPLNPC-090925-3031-1064 Die Kommission hat eine Mitteilung über die Durchführung der Verordnung (EG) Nr. 1224/2009 veröffentlicht.	9 mm	Durchmesser 30 x 31 mm	1700 V λ/4 bei 1064 nm Elektrooptische Q-Switching
Übertragbarkeit	> 98%	TVerzerrung der Kristallemission	λ/6 @ 633 nm
Einsetzungsverlust	2%	Kristallfläche	λ/8 @ 633 nm
empfohlene Q-Schalt-Ausgangsenergie	100 mJ	Aussterbungsquote	3001 - 500:1
Kapazität	5 pF	Xoberfläche mit Au/Cr-Elektrode
Schadensschwelle	00 MW/cm²1064nm 10ns 10Hz(LNQ-Schalter

Eigenschaften

Hochgeschwindigkeitsmodulationsfähigkeit
Breiter Übertragungsbereich
Niedrige Fahrspannung
Ausgezeichnete physikalisch-chemische StabilitätLN (LiNbO3) Pockels-Zelle

Schlagworte:

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

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LN (LiNbO3)-Pockels-Zellen – hoher elektrooptischer Koeffizient, niedrige Halbwellenspannung, hohe Zerstörschwelle, AR-beschichtet, für Güteschalter, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

LN-Pockels-Zellen für Q-Switch

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Pockels-Zellen mit niedriger Halbwellenspannung

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Magnetoptikkristalle

Einzelkristall Substrate

Piezoelektrische Effektkristalle

Faraday-Isolator

Glitzerkristalle

Laserkristalle

Pockels-Zell-Q-Schalter

Andere Einzelkristalle

TGG-Kristall

TSAG-Kristall

GGG Kristall

LaAlO3-Wafer

Q Wechselkristalle

LN (LiNbO3)-Pockels-Zellen – hoher elektrooptischer Koeffizient, niedrige Halbwellenspannung, hohe Zerstörschwelle, AR-beschichtet, für Güteschalter, Phasenmodulator, Laserkommunikation und industrielle Lasersysteme

LN-Pockels-Zellen für Q-Switch

LiNbO3-Pockels-Zellen mit AR-Beschichtung

Pockels-Zellen mit niedriger Halbwellenspannung