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Material: | LGS | Wellenlänge: | 242-3200nm |
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Übertragene Wellenfront-Verzerrung: | Schadensschwelle: | >900MW/cm2 (@1064nm, 10ns) | |
Markieren: | pockels Zellmodulator,Schalter pockel Zellen q,Aktives NLO Material q-Schalter- |
LGS-Reihenc$galvano-optik (Elementaroperation) Q-Schalter Pockels-Zelle
Eine neue Art Elementaroperations-Q-Schalter ist mittels einen Kristall des La3GA5SiQ14 (LGS) entworfen. LGS-Kristall ist eine Art optisch aktives NLO-Material mit sehr hoher Schadenschwelle (ungefähr 9mal als die von LN), ausgezeichneter Elementaroperations-Koeffizient, die Temperaturbeständigkeit (besser als Quarz), der Q-Schalter basiert auf der Erwägung, dass der Gesamtrotationswinkel der Polarisationsfläche, während die polarisierte Welle durch die Pockels-Zelle hin und her fortpflanzt, wenn der flachen Drehung der Polarisation und der Galvano-Optikeffekt gleichzeitig existieren null ist deshalb er in Elementaroperations-Komponenten wie Elementaroperations-Modulator, Q-Schalter, etc. weitverbreitet ist.
Der Reihenc$q-schalter LGS (LG-EO-Q) (Pockels-Zelle) ist ein praktisches Galvano-Optikgerät, das in den mittleren Ertragenergielasern benutzt werden kann, um den Ort von DKDP und von LiNbO teilweise zu nehmendie Q-Schalter mit3 Reihen.
Grundlegende Eigenschaften:
Chemische Formel | La3Ga5SiQ14 | |
Crystal Structure | Trigonal; a=b=7.453Å, c=6.293Å | |
Dichte | 5,75 g/cm3 | |
Schmelzpunkt | °C 1470 | |
Transparenz-Strecke | 242 - 3200 Nanometer | |
Brechungskoeffizient | 1,89 | |
Galvano-Optikkoeffizienten | γ41=1.8 pm/V, γ11=2.3 pm/V | |
Widerstandskraft | 1.7×1010 Ω·cm | |
Zerfließen | Nein | |
Thermische Expansions-Koeffizienten | α11=5.15×10-6 /K (⊥Zachse); α33=3.65×10-6 /K (∥Zachse) |
Eigenschaften:
Ansprechpartner: Ms. Wu
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